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Introduction du produit de feuille de céramique de carbure de silicium:
La plaquette de carbure de silicium isolante à haute fréquence (SiC) est un matériau semi-conducteur de troisième génération, un semi-conducteur composé d’éléments de carbone et d’éléments de silicium. It has excellent properties such as high breakdown voltage, high thermal conductivity and wide band gap (3.26 eV). C’est un matériau idéal pour la fabrication d’appareils électroniques à haute température, à haute fréquence et à haute puissance.
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Caractéristiques de base
1. Propriétés physiques:
Densité: 3,21-3,23 g/cm³ (seulement 40% d’acier).
Dureté ⊑ : dureté Mohs 9.0-9.5 (deuxième seulement au diamant).
Conductivité thermique
Point de fusion [unused_word0006] : environ 2730℃.
2. Propriétés électriques:
Tension de coupure emon: 8-10 fois celle du silicium.
Taux de dérive de la saturation des électrons lixiviaires: 2 à 3 fois celui du silicium.
Constante diélectrique lcpe: 9-10, adaptée aux applications à haute fréquence.
Propriétés isolantes [unused_word0006] : haute tension de panne et faible courant de fuite.
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Champs d’application.
1. Véhicules neufs à énergie HKR: système d’entraînement électrique, pile de charge rapide.
2. 5G communications emon: appareils de radiofréquence de station de base.
3. Photovoltaïque et éolienne: onduleur.
4. Smart grid ⊑ : équipement d’alimentation haute tension.
5. L’aérospatiale -sp: composants haute température.
Ⅰ.Technical parameters
Parameter category | 4H-SiC | 6H-SiC |
Bandgap width | 3.26 eV | 3.03 eV |
electron mobility | High (2-3 times higher than 6H-SiC) | lower |
Applicable scenarios | High frequency, high voltage | High current applications |
Supports custom specifications.
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